铠侠(原东芝闪存业务)、闪迪(原西数闪存业务)联合宣布，第九代BiCS 9闪存已经开始出样给客户。
BiCS 9的定位介于现有的第八代BiCS 8、未来的第十代BiCS 10之间，不像后者追求尖端技术与性能，堆叠到332层，而是更注重性价比，平衡性能与能效，充分利用成熟工艺和技术，主要面向企业级、AI应用。
未来，BiCS 9/10将会持续并行发展，不存在彼此取代关系。
BiCS 9还采用了混合架构，首先单独制造CMOS控制电路晶圆、NAND闪存阵列晶圆，然后键合在一起，形成单一高性能封装——长江存储就是这么干的。
BiCS 9在第五代BiCS 5(112层)和第八代BiCS 8(218层)的基础上，升级更先进的I/O接口， 尤其是支持Toggle DDR 6.0，因此最高传输速度达到3600MT/s，特殊测试环境下的峰值甚至高达4800MT/s。
对比此前的512GB TLC闪存，BiCS 9仍然有着全面的提升：
写入性能提升最多61％、能效提升最多36％，读取性能提升最多12％、能效提升最多27％，另外存储密度也增加了8％。
