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比2nm更先进！台积电A14制程曝光

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摘要 4月29日消息，台积电业务开发资深副总裁张晓强对外表示，台积电A14制程不采用High-NA EUV技术。据悉，台积电A14制程不引入High-NA EUV光刻技术，仍然坚持使用原有的E

4月29日消息，台积电业务开发资深副总裁张晓强对外表示，台积电A14制程不采用High-NA EUV技术。

据悉，台积电A14制程不引入High-NA EUV光刻技术，仍然坚持使用原有的EUV光刻设备，台积电相信，即便没有High-NA EUV光刻设备，A14制程依然可以实现性能、密度、良品率等目标。

资料显示，A14是台积电的下一世代制程技术，这是台积电1.4nm级半导体工程，其表现明显超越当前已经商用的3nm工艺和即将商用的2nm工艺。

台积电公布的数据显示，与N2工艺（2nm）相比，A14在相同功耗下实现高达15%的速度提升，或在相同速度下降低高达30%的功耗，同时逻辑密度将提升20%以上。

按照台积电的计划，A14计划于2028年投产，除了A14，台积电还规划了A14P、A14X、A14C等多种衍生版本。

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