4月18日消息（南山）过去几年，大模型掀起算力基础设施建设的“军备竞赛”，对用于数据中心光互连的高速数通光模块需求显著增长，且速率从400G迅速迭代到800G，再到1.6T。在此背景下，“超大规模智算中心：1.6T时代的全光互连” 研讨会于4月17日下午举办，就智算中心内光互连进行深入探讨，展示光互连技术的最新进展情况，介绍未来发展趋势， 推动智算中心互连技术的创新发展。
光模块不断向更高速率迭代，CPO（光电共封装）、LPO、LRO等新技术不断涌现，其中CPO得到博通、英伟达两大网络巨头的支持，在今年分别推出了CPO交换机产品，备受业界关注。在研讨会上，联合微电子中心有限责任公司（CUMEC）项目经理梁宇鑫发表演讲时认为，带宽高速增长和降低能耗，是业界开发光模块面临的核心难题，综合来看，CPO将光芯片和电（交换）芯片封装到一起，通过缩短信号传输距离来提升集成度、降低能耗，从而脱颖而出，成为“终极解决方案”。
值得一提的是，光通信行业市场研究机构LightCounting此前评价英伟达推出CPO交换机称，这是漫长征程的第一步。在本次研讨会上，LightCounting进一步预计到3.2T时代，CPO的优势将更加明显，技术也将更加成熟，可能是Scale-up多机架系统的“唯一解决方案”。原因在于，规模商用CPO需要解决一系列技术挑战，并实现理想的部署成本。现阶段可插拔技术仍是主流。
梁宇鑫提到，CPO的关键工艺包括四个方面：TSV(硅通孔技术)，通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间垂直导通，使光芯片与电芯片更加紧密的连接。单波200G调制技术，含分段式MZ调制、MRM以及新材料异质集成。激光器集成技术，含Flip-Chip、微转印 、晶圆键合、单片集成四大方案。最后是光纤耦合技术，瞄准实现更高精度、更短时间、更低成本的光传输。
联合微电子将在光通信技术迭代进程中扮演重要角色。据了解，联合微电子是重庆市政府倾力打造的国家级国际化新型研发机构，成立于2018年，首期投资超30亿元，致力于打造光电集成高端特色工艺平台。梁宇鑫介绍，公司在2020年5月推出了第一套完整硅光PDK，随后持续升级硅光工艺、300nm氮化硅工艺、三维（3D）集成工艺、硅上氮化硅有源工艺、800nm氮化硅工艺，目前累计发布5套硅光工艺流片，持续引领国产化进程。
其中，300nm氮化硅工艺为微波光子、光频梳、光传感等场景应用提供解决方案，例如定制化低损耗耦合器，可有效提升信号传输效率及完整度；CWDM/DWDM AWG器件，可推动数据中心、新型量子计算技术发展。梁宇鑫表示，2025年将优化及完善800nm氮化硅平台，涵盖O/C波段常规器件，支持快速链路搭建。
在演讲最后，梁宇鑫总结，为发挥光电共封装的全部潜力，需要突破新型调制、三维集成、激光器集成与光纤耦合等关键技术。联合微电子定位开发平台，将为业界提供性能优异的硅光、氮化硅流片，以及多种三维集成工艺，加速CPO技术走向成熟、走向规模商用。
