《科创板日报》1月22日讯（记者 敖瑾）碳化硅行业高度内卷的大背景下，有企业完成新一轮融资。
近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（以下简称“瞻芯电子”）宣布完成C轮首批融资近十亿元资金交割，由国开制造业转型升级基金领投，中金资本、老股东金石投资、芯鑫跟投。
公开资料显示，瞻芯电子成立于2017年，聚焦于开发碳化硅（SiC）功率器件、驱动和控制芯片产品，处在碳化硅产业链中游。截至目前，瞻芯电子已完成7轮融资，累计融资规模超20亿元，投资方包括众多知名产业资本和财务投资机构，如小米产投、上汽、小鹏旗下星航资本、广汽资本、北汽产投、临芯投资、国投创新、光速光合、国方创新、新片区基金等。
对于本轮融资后的规划，瞻芯电子方面对《科创板日报》记者表示，在业务方面，接下来公司将继续进行产品推广，拿到更多市场订单并形成最终交付；同时。对现有的6英寸晶圆产线扩大投入，进一步提升有效产能及进行成本控制等。在资本运作方面，公司预计在年内完成C轮系列融资，并将在后续申报科创板IPO。
已累计融资超20亿元
公开资料显示，成立于2017年的瞻芯电子，是国内碳化硅领域较早入局的玩家。目前，公司产品已更新到第三代，在下游应用方面已与多家头部新能源汽车和零部件厂商达成合作。据悉，其产品批量交付应用在30余款新能源车型中。
瞻芯电子创始人、CEO张永熙，从复旦大学物理电子学专业获得学士及硕士学位后，曾进入上海贝岭工作。此后，张永熙赴美国新泽西州立大学攻读博士，研究领域即为碳化硅功率器件。在他博士学习结束后进入美国德州仪器，在核心研发部门从事半导体技术开发工作，直至2017年7月回国创办瞻芯电子。
瞻芯电子方面对《科创板日报》记者表示，截至目前，公司核心产品SiC MOSFET交付量已达到1600万颗，其中大约一半应用于新能源汽车；2024年公司销售额增长超过百分之百。
据介绍，今年公司计划发布新一代碳化硅 SiC MOSFET产品以及功能更全面的驱动芯片产品系列。区别于以往的平面型结构，该新一代SiC MOSFET产品采用新型沟槽结构，将显著提升器件性能。“因为产品采用的是沟槽栅结构，因而工艺难度更复杂，保持产品长期可靠的挑战更大，因此同类构造的产品一直没有在国内大规模量产。”
据公司相关人士透露，目前上述沟槽栅型 SiC MOSFET已有样品，将在充分验证产品可靠性后于年内择机推向市场。
在资本运作方面，上述瞻芯电子人士表示，“目前C轮系列融资首批完成，在年内完成剩余额度的交割后，下一步将为IPO做准备，优先争取科创板上市。”
碳化硅领域面临洗牌
在经历近几年的蓬勃发展后，国内碳化硅领域从一片蓝海迅速进入到了激烈竞争阶段，行业进入洗牌期已成为业内人士及投资机构的共识。
上述瞻芯电子人士坦言，目前资本市场对碳化硅厂商持相对谨慎态度，“一个关键点是目前行业已经处在高度内卷状态。”
这在前不久递表港交所的天域半导体的申请材料中亦有所体现。天域半导体为一家碳化硅外延片厂商，属于碳化硅产业链价值集中的环节：衬底和外延成本在碳化硅功率器件的占比高达70%，其中外延环节占比为23%。不过，这两大环节2024年都在厂商的价格战中大幅降价。这在业绩上体现为，天域半导体2024年营业数据急转直下：2024年1-6月收入3.61亿元，同期下滑14.58%，净利润为-1.41亿元，再次陷入亏损。
《科创板日报》记者在此前的采访中了解到，相关部门已注意到碳化硅领域的“内卷”状态，对无序扩张的产能进行了管控。一位碳化硅器件厂商人士此前告诉记者，“市场上相当一部分宣称开工的项目，事实上已无法获批进入实际投产。这类企业不仅会在后续业务发展上受限，其在资本市场的融资也会遭遇逆风，因为这些项目未来前景不明朗，投资风险更高。”
财联社创投通数据显示，2024年，碳化硅领域共发生投融资事件38起，较之2023年的67起有明显下降。其中，碳化硅外延晶片研发商瀚天天成、碳化硅芯片制造商芯粤能、半导体衬底材料研制商青禾晶元以及碳化硅功率器件研发商基本半导体等完成融资。从轮次上看，多数项目已进入后期阶段。
在此背景下，各厂商都在加紧占领市场，争取跑入“安全圈”；在资本层面，不少碳化硅厂商也将未来融资渠道转移到了二级市场。
除了上述已经向港交所递表的天域半导体，以及酝酿冲刺科创板IPO的瞻芯电子，《科创板日报》记者注意到，上述碳化硅功率器件研发商基本半导体，在2024年末完成了股改，并正式更名为深圳基本半导体股份有限公司。
有业内人士预期，随着竞争的持续加剧，未来碳化硅领域的整合也将加速，行业内或出现更多收并购案例。2024年碳化硅领域的收并购案并不多。其中，芯联集成于年中发布了对子公司的芯联越州的收购方案，拟斥资近59亿元实现对后者的全资控股。在公告中，芯联集成表示，希望通过收购芯联越州，进一步打开碳化硅芯片市场。
