铠侠正在提供最新UFS v4.1嵌入式智能手机和平板电脑闪存样品，该产品具备更快的下载速度，可为设备端AI提供更流畅的应用性能。
UFS（通用闪存存储）是指用于智能手机、平板电脑、数码相机和小型游戏机的小型闪存卡，大小约为指甲盖。JEDEC标准定义了UFS特性，其v4.1标准于今年1月发布。UFS 4.0标准定义了采用TLC NAND的双通道设备，通过MIPI M-PHY v5.0和UniPro v2.0，两个通道以23.2 Gbps（2900 MBps）运行，提供约4.2 GBps的最大带宽。
UFS v4.1新增以下功能：
主机发起的碎片整理：通过主机发起的数据碎片整理优化读取流量的新机制，实现更有效的内存维护。这使得垃圾收集可以延迟执行，在关键时刻保持不间断的快速性能。
WriteBooster缓冲区调整和部分刷新：允许主机请求缓冲区调整、数据固定和更精细的刷新操作，以最大化系统吞吐量。
永久可启动逻辑单元：逻辑单元现在可以配置为永久可启动。
RPMB身份验证：通过重放保护内存块（RPMB）身份验证保护供应商特定命令的执行。
增强的异常类型：提供更快的恢复、改进的健康通知和快速错误处理。
增强内存逻辑单元的精度提升：为四级单元（QLC）NAND实现（具有更大容量）铺平道路。
向后兼容UFS v4.0、3.1和3.0。
铠侠的UFS v4.1样品芯片采用其218层TLC 3D NAND（BiCS8代）技术，半导体逻辑层直接键合到NAND阵列（CBA），有助于提高密度、电气效率和性能。
该产品提供256 GB、512 GB和1 TB容量规格，性能超越铠侠的v4.0产品：
随机写入：512 GB/1 TB约提升30%
随机读取：512 GB约提升45%，1 TB约提升35%
功耗效率也有所改善：
读取：512 GB/1 TB约改善15%
写入：512 GB/1 TB约改善20%
据了解，铠侠的v4.0 UFS芯片使用了其BiCS 6技术，具有162层，CMOS逻辑层位于NAND阵列下方（CUA）但未直接键合。BiCS 8密度更高，功耗效率更佳。
v4.1 1 TB芯片比v4.0芯片略小，封装高度降低。在智能手机中集成组件时，每一毫米都至关重要。
美光、三星、SK海力士和西部数据（现为闪迪）都在1月份表示将推出UFS v4.1设备，因此铠侠不会独自提供样品太久。
