4月30日消息，英特尔新任CEO陈立武今日在美国加州圣何塞举行的Intel Foundry Direct Connect 2025活动中亮相，概述了公司在晶圆厂代工项目上的进展。
陈立武宣布，公司现在正在与即将推出的14A工艺节点（1.4nm等效）的主要客户进行接触，这是18A工艺节点的后续一代。
英特尔已有几个客户计划流片14A测试芯片，这些芯片现在配备了公司增强版的背面电源传输技术，称为PowerDirect。
如果一切按计划进行，14A将成为行业首个采用High-NA EUV光刻技术的节点。台积电的A14竞争对手节点预计将在2028年到来，但预计不会在生产中使用High-NA技术。
陈立武还透露，公司的关键18A节点现在处于风险生产阶段，预计今年晚些时候将开始量产。
英特尔还透露其新的18A-P（IT之家注：18A节点的性能版本）现在正在晶圆厂中运行，早期晶圆也已投产。
此外，英特尔官宣正在开发新的18A-PT版本，该版本支持Foveros Direct 3D，采用混合键合互连，使英特尔能够在其最先进的领先节点上垂直堆叠晶圆。
Foveros Direct 3D技术是一个关键的发展，因为它提供了一种竞争对手台积电已在生产中使用的功能，最著名的是AMD的3D V-Cache产品。事实上，英特尔在关键互连密度测量方面的实现与台积电的产品相匹配。
在成熟的节点方面，英特尔晶圆厂现在有了首个 16nm 量产晶圆，该公司现在也在与联电合作开发12nm节点。
根据英特尔的官方路线图，18A-P将在2026年推出，18A-PT要等到2028年。此外，14A将在2027年到来，还会有14A-E工艺。
针对先进封装需求，英特尔代工提供系统级集成服务，使用Intel 14A和Intel 18A-P 制程节点，通过 Foveros Direct（3D堆叠）和 EMIB（2.5D桥接）技术实现连接。
英特尔还将向客户提供新的先进封装技术，包括面向未来高带宽内存需求的EMIB-T；在Foveros 3D先进封装技术方面，Foveros-R和 Foveros-B也将为客户提供更多高效灵活的选择。
制造方面，英特尔亚利桑那州的Fab 52晶圆厂成功“全流程运行”，标志着通过该设施加工了第一块晶圆。英特尔18A的大规模生产将在俄勒冈州的英特尔工厂开始，而亚利桑那州的制造将在今年晚些时候扩大。
【来源：IT之家】
