合资伙伴 Kioxia 和 SanDisk 正在预览更快的 218 层 3D NAND 技术，该技术具有更快的接口速度和更好的能效，同时还展示了即将推出的 332 层技术。
他们目前的第八代 BiCS 技术拥有 218 层，于去年推出。SK hynix 在 2024 年 11 月推出 321 层产品时突破了 300 层屏障，将三个 100 多层堆栈串联在一起。Kioxia 和 SanDisk 的 BiCS 9 代产品将在其 CMOS 逻辑层中使用新的 NAND 接口技术，配合现有的 218 层 NAND 单元封装，以实现更高性能和更低功耗。他们还透露了未来的 BiCS 10，新的逻辑层技术将与 332 层 NAND 单元结合。这个 300 多层技术在上周 SanDisk 的投资者日上首次被提及。
Kioxia 欧洲副总裁兼首席技术官 Axel Stoermann 表示："除了数据中心对提高能效的需求外，数据生成量将大幅增加，这主要由新的 AI 技术驱动的应用推动，边缘推理等复杂操作和迁移学习技术的应用进一步增加了存储需求。"
SanDisk 和 Kioxia 在 BiCS 9 中通过使用 Toggle DDR6.0 接口和 SCA (独立命令地址) 协议，将 NAND 芯片接口速度提高了 33%。这种技术具有并行运行的独立控制和数据通路。他们的技术还采用了 PI-LTT (电源隔离低抽头终端) 技术，"利用现有的 1.2V 和额外的较低电压作为 NAND 接口电源。这减少了数据输入/输出期间的功耗"，输入功耗降低 10%，输出功耗降低 34%。因此，BiCS 9 NAND 芯片接口速度应达到 4.8 Gbps。
双方表示，在即将推出的 BiCS 10 技术中，332 层堆叠和更好的平面单元布局相结合，比 BiCS 8 和 9 的比特密度提高了 59%。
虽然 Solidigm 归 SK hynix 所有，但它拥有独立的晶圆厂基础设施和技术。从这些供应商数据的图表中，我们可以看到该技术的七代演进，尽管供应商的内部代际品牌不同。
除 Solidigm 外，所有供应商都在 2022-2023 年期间的第六代产品中突破了 200 多层水平。现在 Kioxia-SanDisk 正在推出第二个 218 层级产品，具有上述更快的接口。
我们还看到，中国的长江存储 (YMTC，深蓝色柱) 自第三代以来在我们的图表中每一代都保持最高层数。在下一次技术飞跃中，它很可能会朝着 350 层或更高的水平发展，在我们的第七代类别中再次保持领先。
同样明显的是，尽管 Solidigm 生产着目前最大容量的 128 TB 级 QLC SSD，但仍在使用第五代 192 层产品。我们预计 Solidigm 将宣布新一代 3D NAND 技术，使其更接近或甚至进入 300 多层领域。Solidigm 的所有者 SK hynix 已经达到了 321 层。
注释： Toggle 模式 NAND 使用双数据率接口实现更快的数据传输，并使用多路复用器 (MUX) 管理数据通道。
