Western Digital 即将分拆的 Sandisk 部门举行了投资者日会议，透露了今年晚些时候将推出的三款新型 SSD 的细节，以及高带宽闪存 (HBF) 的计划，这是相当于高带宽内存 (HBM) 的 NAND 等效产品。
为了在分拆前向投资者证明其业务的稳健性，Sandisk 高管展示了他们对市场、技术趋势和产品策略的看法，以显示其技术对客户的吸引力和持续相关性。
Sandisk 最新的 3D NAND 产品称为 BiCS8，拥有 218 层，用于制造 2Tb QLC 芯片，据称是目前量产中容量最大的 NAND 芯片。Sandisk 还预览了超过 300 层的 BiCS9 世代产品，将用于制造 1Tb TLC 芯片。一般来说，WD/Sandisk 将 TLC NAND 用于性能驱动器，QLC NAND 用于注重容量的驱动器。公司展示了预测客户端 SSD 市场中 QLC 占比增长的幻灯片，以及 PCIe gen 5 的深入渗透情况。
这将应用于第一款新产品，一款支持 PCIe gen 4 接口的 PC QLC 产品，容量包括 512GB、1TB 和 2TB。
这款注重容量的驱动器将于今年晚些时候发货，同时还有一款使用更快 TLC NAND 的性能导向型 PC gen 5 产品，容量包括 512GB、1TB、2TB 和 4TB。上述幻灯片图像中包含了初步性能数据。
此外还预览了一款面向数据中心的大容量驱动器 UltraQLC DC SN670：
UltraQLC 的特点在于其控制器具有硬件加速器，可扩展到 64 Die/Channel 级别，能够根据工作负载需求调整功率，并包含"集成高级切换模式总线复用控制"。切换模式 NAND 使用双倍数据速率接口实现更快的数据传输，而多路复用器 (Mux) 管理数据通道。Sandisk 版本的这项技术将更高效地管理 NAND-SSD 控制器数据流。
SN670 使用 PCIe gen 5 总线，容量为 64TB 或 128TB，可用容量分别为 61.44TB 或 122.88TB。计划于 2025 年第三季度发货。去年 11 月，Solidigm 和 Phison 都宣布推出 122.88TB 的 SSD。
Sandisk 展示了容量 eSSD 的发展规划，2025 年达到 128TB，2026 年 256TB，2027 年 512TB，之后达到 1PB，但未指明具体年份。
在未来技术方面，Sandisk 谈到了 3D Matrix Memory (DRAM)，用于解决内存墙问题（内存容量和带宽之间日益增长的差距）。该公司正与 IMEC 合作开发这项技术，进行 4-8Gbit 容量的 CMOS 开发项目。
公司还在开发带宽优化的 NAND，即 HBF 概念，声称可以在相同成本下提供与 HBM 相当的带宽，但容量是 HBM 的 8 至 16 倍。
实际上，叠层 HBM DRAM 将全部或部分被 NAND 层取代，通过逻辑芯片和中间层与主机 GPU/CPU/TPU 连接。8 层堆叠可以有 6 个 512GB NAND 芯片和 2 个 HBM 芯片，提供 3.12PB 的总容量，相比之下 8Hi HBM 芯片的总容量为 192GB。
全 HBF 8Hi 堆叠将具有 4PB 的容量。Sandisk 表示，具有 16 位权重的约 1.8 万亿参数的大语言模型需要 3.6PB 内存，可以装入 8Hi HBF 芯片中。如果设想在智能手机上运行 LLM，那么 640 亿参数的 MoE 模型可以装入手机中的 HBF 芯片。公司预见三代 HBF，第二代的容量是第一代的 1.5 倍，读取带宽提高 1.45 倍，第三代在这两个方面都是第一代的 2 倍。能源效率也将逐代提升。
HBF 与 HBM 不能直接兼容，但具有相同的电气接口，"只需要少量协议更改"。
Sandisk 希望帮助形成开放的 HBF 标准生态系统，正在组建一个由"行业名人和合作伙伴"组成的技术顾问委员会。
如果 HBF 理念得到推广，被 Micron、Samsung 和/或 SK hynix 采用，我们可能就会有一个接近存储级内存的概念。
