三星最新季度业绩未达预期，公司正努力进军利润丰厚的高带宽内存 (HBM) 市场。目前该市场由 SK 海力士领跑，美光科技紧随其后。
HBM 技术通过在中介层上堆叠 DRAM 层来制造内存产品，这些产品与 GPU 相连，相比 x86 处理器使用的插槽连接内存，能提供更快的带宽和更大的容量。HBM 内存比普通 DRAM 成本更高，随着 AI 应用的使用量增加，对高带宽 GPU 内存的需求也随之上升，这使得 SK 海力士和美光的收入大幅增长。去年 11 月，SK 海力士在其 12 层 HBM3e 内存芯片上增加了 4 层，使容量从 36GB 提升到 48GB，并计划于今年推出这款 16 层产品样品。更快的 HBM4 标准也将于今年推出，堆栈带宽约为 1.5 TBps，相比之下 HBM3e 的带宽为 1.2+ TBps。
三星公布的截至 12 月 31 日的季度初步数据显示，营收为 75 万亿韩元 (514 亿美元)，同比增长 10.7%，但低于分析师预期；营业利润为 6.5 万亿韩元 (45 亿美元)，低于预期的 8.96 万亿韩元 (61 亿美元)，较上一季度下降 30%。
管理层表示："我们第四季度的营业利润预计将显著低于市场预期。在发布完整业绩报告之前，我们提供这份说明以帮助理解业绩背后的关键因素并减少不确定性。"
"尽管传统 PC 和移动产品需求疲软，但内存业务收入在高密度产品强劲销售的推动下创下第四季度新高。然而，由于为确保未来技术领先地位而增加的研发支出，以及扩大先进技术生产能力的初期成本，内存业务的营业利润有所下降。"
集邦科技分析师 Eden Chung 向法新社表示，他认为三星代工业务面临多重挑战，包括"在先进制程中失去重要客户订单、某些产品逐渐停产，以及成熟制程领域复苏缓慢"。
HBM 芯片制造比传统 DRAM 更有利可图。一旦 GPU 市场领导者英伟达认证了制造商的 HBM 产品，销售就会起飞。三星在获得英伟达对其最新 HBM 芯片的认证方面落后于 SK 海力士和美光。去年 11 月，公司因应对内存芯片销售放缓而更换了半导体部门领导层，这是当年第二次高管重组。一个月前，公司曾承认陷入危机，并对其技术竞争力表示担忧。
移动手机内存需求相对疲软，中国国内 DRAM 供应商在当地市场占据越来越大的份额。
据路透社报道，英伟达 CEO 黄仁勋在 CES 展会上向记者表示，三星正在开发新的 HBM 芯片设计，他对三星在这个项目上取得成功充满信心。
